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[发明专利] SOI 晶圆的制造方法CN201580047351.0 有效
发明人：
阿贺浩司 ;桑原登
- 专利权人：
信越半导体株式会社
申请日：
2015-08-28
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公布日：
2019-05-17
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主分类号：
H01L21/02 文献下载
摘要： 一种SOI 晶圆的制造方法具有将形成有SOI 层的SOI 晶圆的SOI 膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI 晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI 层的SOI 晶圆在薄膜化处理前的SOI 膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI 膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI 晶圆的旋转位置，使SOI 晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI 晶圆的SOI 层予以薄膜化处理。绝缘体 上硅晶圆 制造 方法
[发明专利] 执行元件用的调节方法和调节装置 -CN200580002286.6 有效
发明人：
W·舒尔茨 ;J·瓦格纳
- 专利权人：
西门子公司
申请日：
2005-01-11
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公布日：
2007-02-07
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主分类号：
F02D41/20 文献下载
摘要： 本发明涉及一种用于内燃机的喷射装置的喷射器的执行元件(1－4)的调节方法，具有以下步骤：预先确定喷射开始的额定值(SOI SOLL )；在确定的触发时刻(tTRIGGER )利用确定的执行元件能量(E)以电方式控制所述执行元件(1－4)；检测所述喷射开始的实际值(SOI 1IST ，SOI 2IST ，SOI 3IST ，SOI 4IST )；确定所述喷射开始的额定－实际－偏差(ΔSOI 1，ΔSOI 2，ΔSOI 3，ΔSOI 4)；以及根据所述喷射开始的所述额定－实际－偏差(ΔSOI 1，ΔSOI 2，ΔSOI 3，ΔSOI 4)来调节执行元件能量(E)，以调节所述喷射开始。执行 元件 调节 方法 装置
[发明专利] SOI 晶片及其制造方法CN02807889.6 有效
发明人：
阿贺浩司 ;三谷清
- 专利权人：
信越半导体株式会社
申请日：
2002-03-29
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公布日：
2004-06-02
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主分类号：
H01L27/12 文献下载
摘要： 本发明提供一种SOI 晶片及其制造方法，该SOI 晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI 晶片，其特征为：发生在SOI 晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI 岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI 层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2 以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI 晶片，抑制剥离时所发生的SOI 岛的产生，并且降低SOI 晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI 晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。soi 晶片 及其 制造 方法
[发明专利] SOI 晶圆的制造方法CN202180032683.7 在审
发明人：
阿贺浩司 ;横川功
- 专利权人：
信越半导体株式会社
申请日：
2021-04-14
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公布日：
2022-12-23
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主分类号：
H01L21/306 文献下载
摘要： 本发明是一种SOI 晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI 晶圆的SOI 层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI 层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI 层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通过使所述SOI 层接触臭氧水而在SOI 层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜，而进行SOI 层的表面的蚀刻，以第1蚀刻步骤中的SOI 层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI 层的加工余量少的方式，进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此，能够提供一种SOI 晶圆的制造方法，其在SOI 膜厚调整中，能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI 膜厚的优异的面内均匀性。soi 制造 方法
[发明专利] SOI 晶圆的制造方法CN201880038871.9 有效
发明人：
阿贺浩司
- 专利权人：
信越半导体株式会社
申请日：
2018-05-30
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公布日：
2023-09-22
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主分类号：
H01L21/02 文献下载
摘要： 本发明涉及一种SOI 晶圆的制造方法，其具有对SOI 晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI 层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI 晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI 层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI 层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI 层的SOI 晶圆。由此，提供一种SOI 晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI 层膜厚分布的SOI 晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI 晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI 层。soi 制造 方法
[发明专利] SOI 晶片的设计方法及制造方法CN201180012264.3 有效
发明人：
桑原登
- 专利权人：
信越半导体股份有限公司
申请日：
2011-02-03
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公布日：
2012-11-14
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主分类号：
H01L27/12 文献下载
摘要： 本发明是一种SOI 晶片的制造方法，用于器件制造工序或检验工序，所述器件制造工序或检验工序具有以下工序：向在埋入式绝缘层上形成有SOI 层的SOI 晶片上，照射波长λ的光，并基于SOI 晶片的反射光的强度，进行SOI 晶片的位置控制；并且，所述SOI 晶片的制造方法至少具有以下工序：根据对制造后的SOI 晶片进行位置控制的工序中所使用的光的波长λ，设计SOI 晶片的埋入式绝缘层的厚度；及，制造在设计厚度的埋入式绝缘层上形成有SOI 层的SOI 晶片。由此，本发明提供一种SOI 晶片的设计方法及制造方法，可以抑制光的反射率随着SOI 层膜厚变动而变动，并提高SOI 晶片的位置控制的精度，并且，可以共用体硅晶片的器件制造工序或检验工序中所使用的用于位置控制的机构soi 晶片 设计 方法 制造
[发明专利] 用于在兴趣空间内搜索信息的装置 -CN201310121239.X 有效
发明人：
朴哲佑 ;权纯晟 ;金红会
- 专利权人：
现代自动车株式会社
申请日：
2013-02-18
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公布日：
2019-02-15
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主分类号：
G06F16/909 文献下载
摘要： 本发明公开一种用于搜索空间对象SOI 的装置。该装置包括：兴趣空间(SOI )数据库(DB)，包括多个空间对象SOI 和关系对象；搜索输入单元，配置成从用户接收多个空间对象SOI 中的至少一个和搜索词；关系显示单元，配置成关于接收到的至少一个空间对象SOI 输出至少一个关系对象；关系选择单元，配置成从用户接收对输出的关系对象的一部分的选择；搜索处理单元，配置成基于选择的关系对象、接收到的空间对象SOI 和搜索词在SOI DB上执行搜索；以及搜索输出单元，配置成输出该搜索的搜索结果关系对象指示接收到的空间对象SOI 和在多个空间对象SOI 中与接收到的空间对象SOI 相关的空间对象SOI 之间的关系，该关系在SOI DB上已经被预先限定。用于 兴趣 空间 搜索 信息 装置
[发明专利] 绝缘体上硅晶圆的制造方法 -CN201580027234.8 有效
发明人：
阿贺浩司
- 专利权人：
信越半导体株式会社
申请日：
2015-04-13
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公布日：
2019-06-07
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主分类号：
H01L21/02 文献下载
摘要： 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI )晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI 层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI 的膜厚度；(c)对该SOI 层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI 层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI 层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI 层的膜厚度；以及(e)对SOI 层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI 层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI 层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI 层膜厚度的SOI 晶圆。绝缘体 上硅晶圆 制造 方法
